探針臺(tái)根據(jù)測(cè)試需求、操作方式及環(huán)境條件可分為多個(gè)類(lèi)別，其核心特點(diǎn)與適用場(chǎng)景如下：
一、按?測(cè)試樣品?分類(lèi)
1、?晶圓測(cè)試探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：支持4寸至12寸晶圓測(cè)試，配備高精度移動(dòng)平臺(tái)與探針卡，兼容晶圓廠標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試流程。
l ?場(chǎng)景?：晶圓廠量產(chǎn)前的缺陷篩選（CP測(cè)試），實(shí)驗(yàn)室芯片原型驗(yàn)證。
2、?LED測(cè)試探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：集成光學(xué)檢測(cè)模塊，可同步測(cè)試電學(xué)參數(shù)（如正向電壓）與光學(xué)性能（如光強(qiáng)、波長(zhǎng)）。
l ?場(chǎng)景?：LED芯片光效評(píng)估、顯示面板背光源質(zhì)量控制。
3、?功率器件測(cè)試探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：支持高壓（＞1000V）、大電流（＞100A）測(cè)試，配備耐高溫探針與散熱系統(tǒng)。
l ?場(chǎng)景?：IGBT、SiC MOSFET等功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性驗(yàn)證。
4、?納米器件測(cè)試探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：納米級(jí)定位精度（±0.1μm），兼容低溫（如-196℃）與磁場(chǎng)（如0.5T垂直磁場(chǎng)）環(huán)境。
l ?場(chǎng)景?：二維材料、量子點(diǎn)器件等前沿材料的電學(xué)特性研究。
二、按?應(yīng)用環(huán)境?分類(lèi)
1、?高/低溫環(huán)境測(cè)試探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：溫度范圍覆蓋-65℃至+300℃，支持真空環(huán)境測(cè)試，避免冷凝干擾。
l ?場(chǎng)景?：汽車(chē)電子低溫冷啟動(dòng)測(cè)試、航天器件高溫可靠性驗(yàn)證。
2、?射頻（RF）探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：集成RF屏蔽箱與高頻探針（40GHz以上），支持S參數(shù)、噪聲系數(shù)等射頻指標(biāo)測(cè)試。
l ?場(chǎng)景?：5G通信模塊、毫米波雷達(dá)芯片的射頻性能驗(yàn)證。
3、?真空探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：全封閉真空腔體設(shè)計(jì)，消除空氣放電干擾，兼容低電流（fA級(jí)）測(cè)試。
l ?場(chǎng)景?：MEMS傳感器、光電探測(cè)器的高精度電學(xué)參數(shù)測(cè)量。
三、按?操作方式?分類(lèi)
1、?手動(dòng)探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：操作靈活，配置顯微鏡與手動(dòng)位移臺(tái)（行程100mm×100mm），成本低。
l ?場(chǎng)景?：實(shí)驗(yàn)室小批量樣品測(cè)試、高?？蒲薪虒W(xué)。
2、?全自動(dòng)探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：機(jī)械臂自動(dòng)定位，支持晶圓級(jí)批量測(cè)試，效率提升30%以上。
l ?場(chǎng)景?：晶圓廠量產(chǎn)測(cè)試、高復(fù)雜度芯片（如CPU）的快速篩選。
四、按?特殊功能?分類(lèi)
1、?雙面點(diǎn)針探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：支持芯片正反面同步扎針，減少測(cè)試誤差。
l ?場(chǎng)景?：3D封裝芯片、TSV（硅通孔）器件的互聯(lián)性驗(yàn)證。
2、?熱探針臺(tái)?
l ?特點(diǎn)?：內(nèi)置加熱模塊，模擬高溫工作條件（如+150℃）。
l ?場(chǎng)景?：功率器件熱穩(wěn)定性測(cè)試、封裝材料熱膨脹系數(shù)分析。
探針臺(tái)的多樣性設(shè)計(jì)（如手動(dòng)型靈活適配科研需求、全自動(dòng)型滿(mǎn)足量產(chǎn)效率）與專(zhuān)業(yè)化擴(kuò)展能力（如RF/真空/高低溫模塊），使其可覆蓋?半導(dǎo)體制造、光電器件研發(fā)、新能源材料分析?等全產(chǎn)業(yè)鏈測(cè)試需求。選型時(shí)需綜合測(cè)試精度、環(huán)境兼容性及成本效益，例如納米器件研發(fā)優(yōu)先選擇低溫磁場(chǎng)探針臺(tái)，而量產(chǎn)場(chǎng)景則需全自動(dòng)機(jī)型提升效率。
