半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段，可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)判斷材料的導(dǎo)電類型?；魻栃?yīng)本質(zhì)上是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用引起的偏轉(zhuǎn)，當(dāng)帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中，這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積，形成附加的橫向電場(chǎng)。

根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計(jì)算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能;通過霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測(cè)量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測(cè)縱向載流子濃度分布;測(cè)量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補(bǔ)償度。與其他測(cè)試不同的是霍爾參數(shù)測(cè)試中測(cè)試點(diǎn)多、連接繁瑣，計(jì)算量大，需外加溫度和磁場(chǎng)環(huán)境等特點(diǎn)。

錦正茂霍爾效應(yīng)測(cè)試儀，是用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。

該儀器為性能穩(wěn)定、功能強(qiáng)大、性價(jià)比高的霍爾效應(yīng)儀,在國內(nèi)高校、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測(cè)電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或固體材料均可。

可測(cè)試材料: 

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。